NTMYS4D6N04CLTWG onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 40µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 23 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1300 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LFPAK4 (5x6)
Paquete/Caja: SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base: NTMYS4