IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CFD2
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 22.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 900µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 86 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2340 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 195.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO263-3
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: IPB65R150