TN0106N3-G-P013 Microchip Technology Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Tape & Box (TB)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 350mA (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 500µA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 60 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92-3
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base: TN0106