IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??G7
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 20A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 320µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 27 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1080 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-HDSOP-10-1
Paquete/Caja: 10-PowerSOP Module
Número de producto base: IPDD60