NTE2987 NTE Electronics, Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 20A
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 30 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1500 pF @ 25 V
Característica FET: Logic Level Gate, 4V Drive
Disipación de potencia (máx.): 105W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220
Paquete/Caja: TO-220-3