Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 70mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 7400 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SMCP
Paquete/Caja: SC-75, SOT-416
