PSMN8R5-100ESFQ NXP Semiconductors Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: NXP Semiconductors
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 97A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 7V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3181 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 183W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: I2PAK
Paquete/Caja: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA