IRLU3705ZPBF International Rectifier Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 42A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 66 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2900 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: IPAK (TO-251AA)
Paquete/Caja: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA