FQI7N60TU Fairchild Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 7.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 38 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1430 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: I2PAK (TO-262)
Paquete/Caja: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número de producto base: FQI7N60