Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 11A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 30 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 950 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LPTS
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: R5011
