TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: DTMOSIV
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 11.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.7V @ 600µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 890 pF @ 300 V
Característica FET: Super Junction
Disipación de potencia (máx.): 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DPAK
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: TK12P60