TQM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 7V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.8V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 20 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1044 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-PDFNU (5x6)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Número de producto base: TQM150