Fabricante: STMicroelectronics
Serie: STripFET??F7
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 110A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4500 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 205W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: H2Pak-2
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: STH130