RCX050N25 Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1100mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 410 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220FM
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack
Número de producto base: RCX050