STD10N60M6 STMicroelectronics Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: STMicroelectronics
Serie: MDmesh??M6
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.75V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 338 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D-PAK (TO-252)
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: STD10