Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 90µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2250 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete/Caja: 8-PowerWDFN
Número de producto base: NTTFS002
