SUD35N10-26P-T4GE3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 35A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 7V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 47 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2000 pF @ 12 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252AA
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: SUD35