Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 13A (Ta), 70A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 63 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3142 pF @ 40 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: AOT286
