Fabricante: CoolCAD
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 20A (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 5mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 60 nC @ 15 V
Vgs (máx.): +15V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1500 pF @ 1000 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 100W (Tj)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-3
Paquete/Caja: TO-247-3