DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 470 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220-3
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: DMN90