IV1Q12050T4 Inventchip Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Inventchip
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 58A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.2V @ 6mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 120 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2750 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 344W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-4
Paquete/Caja: TO-247-4