P3M12040G7 PN Junction Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: PN Junction Semiconductor
Serie: P3M
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 69A
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Vgs (máx.): +19V, -8V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 357W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D2PAK-7
Paquete/Caja: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA