P1H06300D8 PN Junction Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: PN Junction Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs (máx.): +10V, -20V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 55.5W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN8*8