FDP8030L Fairchild Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 80A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 170 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 10500 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -65°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220-3
Paquete/Caja: TO-220-3