P3M06300K3 PN Junction Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: PN Junction Semiconductor
Serie: P3M
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9A
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ)
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 904 nC @ 15 V
Vgs (máx.): +20V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 338 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 38W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-3L
Paquete/Caja: TO-247-3