FCH170N60 Fairchild Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: SuperFET® II
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 22A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 55 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2860 pF @ 380 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247
Paquete/Caja: TO-247-3