NVH4L045N065SC1 onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 55A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V, 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.3V @ 8mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 105 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1870 pF @ 325 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-4L
Paquete/Caja: TO-247-4