IXFQ60N60X IXYS Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: IXYS
Serie: HiPerFET?? Ultra X
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 60A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 8mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 143 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 5800 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3P
Paquete/Caja: TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base: IXFQ60