APT10M19BVRG Microchip Technology Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Microchip Technology
Serie: POWER MOS V®
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 75A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 300 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6120 pF @ 25 V
Característica FET: -
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247 [B]
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: APT10M19