IXFX170N20T IXYS Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: IXYS
Serie: HiPerFET?? Trench
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 170A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 4mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 265 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 19600 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: PLUS247??3
Paquete/Caja: TO-247-3 Variant
Número de producto base: IXFX170