DMN55D0UT-7 Diodes Incorporated Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 160mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 25 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-523
Paquete/Caja: SOT-523
Número de producto base: DMN55