DMP1080UCB4-7 Diodes Incorporated Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3.3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 350 pF @ 6 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 820mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: U-WLB1010-4
Paquete/Caja: 4-UFBGA, WLBGA
Número de producto base: DMP1080