A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc. Transistores - FETs MOSFETs - RF

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: GaN HEMT
Frecuencia: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Ganar: 16.1dB
Voltaje - Prueba: 48 V
Corriente nominal (amperios): -
Figura de ruido: -
Corriente - Prueba: 291 mA
Potencia - Salida: 180W
Voltaje - Nominal: 125 V
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: NI-400S-2S
Paquete de dispositivo del proveedor: NI-400S-2S
Número de producto base: A2G35