QS8J12TCR Rohm Semiconductor Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.5A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 40nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4200pF @ 6V
Potencia - Máxima: 550mW
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: TSMT8
Número de producto base: QS8J12