BSO211PH Infineon Technologies Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??P
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 25µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 10nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1095pF @ 15V
Potencia - Máxima: 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 532-BFBGA, FCBGA
Paquete de dispositivo del proveedor: 532-FCBGA (23x23)