SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Potencia - Máxima: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-PowerPair® (6x5)
Número de producto base: SIZF906