SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: -
Potencia - Máxima: -
Temperatura de funcionamiento: -
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-SMD, No Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Número de producto base: SSM6N951