HP8K22TB Rohm Semiconductor Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 27A, 57A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 16.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1080pF @ 15V
Potencia - Máxima: 25W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-HSOP
Número de producto base: HP8K22