SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Potencia - Máxima: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-PowerPair® (6x5)
Número de producto base: SIZF916