G05NP06S2 Goford Semiconductor Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5A (Tc), 3.1A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.9A, 5V, 95mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 22nC @ 10V, 37nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V
Potencia - Máxima: 2.5W (Tc), 1.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP