G06NP06S2 Goford Semiconductor Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Potencia - Máxima: 2W (Tc), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP