SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6.8A, 5.8A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 640pF @ 20V
Potencia - Máxima: 3W, 3.1W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOIC
Número de producto base: SI4599