SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TSOP-F