DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.07A, 845mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.74nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 60.67pF @ 10V
Potencia - Máxima: 330mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-363
Número de producto base: DMG1016