SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4A, 3.7A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 4.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 285pF @ 10V
Potencia - Máxima: 3.1W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: 1206-8 ChipFET??