UPA1759G-E1-AT Renesas Electronics America Inc Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 190pF @ 10V
Potencia - Máxima: 2W
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.173\ 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-PSOP