SISF20DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1290pF @ 30V
Potencia - Máxima: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Número de producto base: SISF20