APTMC120AM25CT3AG Microchip Technology Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 113A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ)
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 197nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3800pF @ 1000V
Potencia - Máxima: 500W
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: SP3
Paquete de dispositivo del proveedor: SP3
Número de producto base: APTMC120