SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.5A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 16nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 455pF @ 6V
Potencia - Máxima: 7.8W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de producto base: SIA537