NTE2960 NTE Electronics, Inc Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 7A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1380pF @ 25V
Potencia - Máxima: 40W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220 Full Pack